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そもそも、プログラミングが英語。 OSIプロトコル(7階層)を理解しないと、ITのインシデントは、理解出来ない。 製品展示会も、英語でプレゼン。文系で英語が出来ても、専門英語は理解出来ない奴らが多い。APIやRPTといった、省略語も多い。 アジャイルとウォーターフォールとの比較とか、オラクルとSAPの比較とかもあるから、最新技術理解しないと、ITの仕事は無理。
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HBMに欠かせないTSVという技術 =====★超重要★===== KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術 ============== HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
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HBMに欠かせないTSVという技術 =====★超重要★===== KOKUSAIの持つ、原子レベルの絶縁膜によるTSV化に依存する3D絶縁膜積層化技術 ============== HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 異常の理由によりHBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
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HBMとは? HBM(High Bandwidth Memory)とは非常に高い帯域幅(データ転送速度)を持ったDRAMです。 HBMの特徴1:3Dスタッキング技術 HBMは複数のメモリ層を垂直に積み重ねる3Dスタッキング技術を使用しています。これにより、従来の平面メモリよりも多くのデータを高速に処理できます。 例えば、HBM2では1024ビットのインターフェースが一般的です。 HBMの特徴3:低い消費電力 HBMは、高帯域幅を維持しながらも低い消費電力で動作します。 この接続方法により、データの転送速度が向上し、信号の品質が保たれータ転送に必要な電力が少ないためです。 HBMの特徴4:インターポーザ経由の接続 HBMはインターポーザと呼ばれるシリコンの層を介してGPUやCPUに接続されます。 HBMの用途 HBMは、高性能コンピューティング、サーバー、高度なグラフィックス処理、AI、機械学習など、高いメモリ帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。 HBMに欠かせないTSVという技術 HBMで高い帯域幅を実現できる理由は、バス本数の多さにありました。 多くのバス本数を実現できる理由は、TSV(Through Silicon Via)という技術です。 TSV(Through Silicon Via)とは、英語で表現するとシリコンを通り抜ける、と直訳できます。 実際のTSV技術は、メモリの材料(母材)であるシリコンに小さな穴をあけて、その穴を電極で埋めて、高層ビルのように、電気配線を垂直方向につなげる技術です。 TSVを活用することで、横方向に電気配線を接続する「ワイヤーボンド接続」と比較して決められたメモリの面積内で、高さ方向が有効活用できるようになったため、より高密度な配線が可能になります。 さらに、上下層の間の配線距離が、ワイヤーボンド接続よりも非常に短くなるので、信号の伝播遅延も減少し、高い動作周波数が実現できるのです。 また、シリコンの3次元構造を生かして、メモリーの下にロジックICを形成して接続することもでき、ロジックICでメモリーの制御ができ、データ転送の効率化も可能になります。 HBMに、TSVという技術は欠かせない重要なものなのです。
伝統的日本企業からは低評価。英…
2024/05/07 16:15
伝統的日本企業からは低評価。英語公用語化(笑) みたいな感じだが、足元では東大生が3年連続一位入社なのが楽天 ホリエモンみたいな層やベンチャー界隈はgafa辺りと比較したり、赤字(笑) みたいな感じで楽天をこき下ろしたりしてるし(おさるさんでも分かるようなスターリンクばかり持ち上げでastはスルー) 「楽天はテック企業ではなく営業の会社(笑)」みたいな古い認識を振りかざすが、恐らく国内で交流してる楽天社員(日本人)が営業の人が多いからだろう。ホリエモン界隈の人達が楽天のgafaを蹴って入社した外国人エンジニア(米印台湾等)と交流持ってるとは思わない。 日本国内で威張ってるだけの人達と東大生・楽天、外国人エンジニアとでは見えてる景色が違うのでしょう。