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>IOWN 自分なりの考察 > >演算、記憶はMOSの集積を利用するが、特性として状態保持は省エネだが、スイッチング時に電荷の移動が必要になるので、高速演算、高速書換えをすると(高クロックってこと)大きな電力が必要になる。AI処理に利用するGPUはこれを並列処理できることが特徴で、それによりもっと大きな電力が必要になる。IOWN基盤技術は、電荷ではなく光を用いることで短時間当たりの処理量に比例する電力を大きく下げるもので、通信の高速化、省電力化も、その基盤技術の成果だと思う。自分的には光の状態保持(MOSでは電荷)が難解で、光を閉じ込める的な素子が必要と思う。この素子とこの素子を制御する仕組みなどが、自分の興味の対象。 参考になります。
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IOWN 自分なりの考察 演算、記憶はMOSの集積を利用するが、特性として状態保持は省エネだが、スイッチング時に電荷の移動が必要になるので、高速演算、高速書換えをすると(高クロックってこと)大きな電力が必要になる。AI処理に利用するGPUはこれを並列処理できることが特徴で、それによりもっと大きな電力が必要になる。IOWN基盤技術は、電荷ではなく光を用いることで短時間当たりの処理量に比例する電力を大きく下げるもので、通信の高速化、省電力化も、その基盤技術の成果だと思う。自分的には光の状態保持(MOSでは電荷)が難解で、光を閉じ込める的な素子が必要と思う。この素子とこの素子を制御する仕組みなどが、自分の興味の対象。
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3番目のVTX+AZAでmOSの25ヶ月は不自然で、何かの間違いではないかな。 この併用は初発でも14ヶ月度だったはず。 1番目の120日4ヶ月程度と比べても差がありすぎで、こちらの方が現実に近いと思える。 患者の状態や過去の治療でも大きく変化するはずなんで単純比較は本当に難しい。 まあ、10917の単剤が対照群のトップクラスか、その上あたりに存在しているのだろうね。 それで有効中止にならなかったら不思議な事になるね。
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DFP-10917 vs. ベネトクラクス+α併用のr/r AMLに対する臨床効果比較のため、 年齢などなるべく近い条件のものを抜き出しみました。 DFP-10917のPhase IIIでの比較対象群は単剤投与患者も一定含まれているでしょうし、CRでも1 year OSでも有意差出せる可能性は十分あるのではないでしょうか。 参考文献:Cancer. 2019 ;125:1665-1673. DFP-10917 PhaseI/II, N=29, mAge=71, CR=21%, mOS=7.3 months (221 days, 95% CI:118-284), 1 year OS=21% 参考文献:Cancers (Basel). 2022;14:1734. VEN 400/600 mg daily + AZA (n = 30), LDAC (n = 6), or DAC (n = 15), mAge=68(AZA:67, LDAC:74, DAC:64) CR=10% mOS=3.4 months (104 days, 95% CI: 56-151) [AZA:120 days (95% CI:77-163), LDAC:69days(95% CI:56-81), DAC:104 days (95% CI:0-244)] 参考文献:Blood Adv. 2021;5:1552–1564. VEN 400/600 mg daily + AZA (n = 35), LDAC (n = 27), or DAC (n = 20) mAge=67 (AZA:65, LDAC:59, DAC:74) CR=14% (AZA:26%, LDAC:7%, DAC:0%) mOS=6.1 months (AZA:25, LDAC:5.4, DAC:3.9) VEN=Venetoclax(ベネトクラクス), AZA=Azacitidine, LDAC=Low-Dose Cytarabine, DAC=Decitabine 参考総説: Bioengineering 2023. 10(5), 591、Cancers (Basel) . 2021 Dec 21;14(1):22.
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IOWNに 関係してるか 遷移金属ダイカルコゲナイドのような、シリコンに代わる、あるいはシリコンと同時に使える材料は、何十年も前から科学者の研究対象となっている。酸化ガリウムは熱的特性のおかげで、シリコンよりエネルギー効率が高く、EVや発電所などでの使用に適している 遷移金属ダイカルコゲナイド電界効果トランジスタ 理解出来ないけど この有限の大きさのバンドギャップにより、グラフェンでは実現できない光デバイスや電界効果トランジスタ(FET)が作製されています。既にマイクロプロセッサが試作されています。可視光領域の発光素子、光検出器が作製され、微弱光領域で高い光感度が示されています。大きなバンドギャップのために高い電流on/off比のMoS2 FETが実現されています。さらに遷移金属ダイカルコゲナイドは重い元素を含むため、スピン軌道相互作用が大きいといった特徴があります。バレーホール効果等を活用したスピントロニクスデバイスへの応用が期待されています。このように、遷移金属ダイカルコゲナイドは従来見られなかった興味深い新規物理現象の研究対象であるとともに、原子層オーダーの微小な光デバイス、電子デバイスとしての新たなアプリケーションが期待されています。 私たちは、MoS2をh-BNで挟むことにより、環境の擾乱を受けにくい電界効果トランジスタを作製することに成功しました。このMoS2電界効果トランジスタの光応答特性を調べたところ、従来の構造の素子と比較して大きな光応答を示すことがわかりました
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遷移金属ダイカルコゲナイド電界効果トランジスタ 理解出来ないけど この有限の大きさのバンドギャップにより、グラフェンでは実現できない光デバイスや電界効果トランジスタ(FET)が作製されています。既にマイクロプロセッサが試作されています。可視光領域の発光素子、光検出器が作製され、微弱光領域で高い光感度が示されています。大きなバンドギャップのために高い電流on/off比のMoS2 FETが実現されています。さらに遷移金属ダイカルコゲナイドは重い元素を含むため、スピン軌道相互作用が大きいといった特徴があります。バレーホール効果等を活用したスピントロニクスデバイスへの応用が期待されています。このように、遷移金属ダイカルコゲナイドは従来見られなかった興味深い新規物理現象の研究対象であるとともに、原子層オーダーの微小な光デバイス、電子デバイスとしての新たなアプリケーションが期待されています。 私たちは、MoS2をh-BNで挟むことにより、環境の擾乱を受けにくい電界効果トランジスタを作製することに成功しました。このMoS2電界効果トランジスタの光応答特性を調べたところ、従来の構造の素子と比較して大きな光応答を示すことがわかりました。[https://doi.org/10.7567/JJAP.57.045201 ] https://www.px.tsukuba.ac.jp/~snomura/id/id-5.html
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mOSでいい数字は出たが、タイミングが早すぎて賛成者が少なく、有効中止とはならなかった。 それなら1年OSを見てみようとの意見となり、その結果延期したと都合よく解釈してるが、どうなんだろうね。 待つのも疲れるな。
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VTX併用について、1、2相は早いと聞いているので、症例登録は1年以内じゃないかな。 データカットオフをどのタイミングとするかだが、mOSのタイミングとすれば、1年前後じゃないかと思う。 このタイミングで承認が決まっていれば、3相は簡単に進むかもね。 それでも、上市までトータル5年はかかりそう。 短縮策があるかどうかだよね。
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推測ですが、 既に判明しているはずのmOSはまだデルタにも知らされていない オープン治験でもあり、長期生存者の多くは10917投与群の可能性が高いとデルタも期待半分で信じている という状況なのだろうと思います おそらく1年OS結果待ちということで5月後半には開示があるのでは
半年期限信用の売りもやっと一段…
2024/05/02 12:55
半年期限信用の売りもやっと一段落かな デルタには通知されていないかもしれませんが、mOSはとっくに確定しているのでしょうし1年OSもあと半月で確定 それに応じた新規買いが入って欲しいもの 相手があることとはいえ、デルタにはゴールポストを動かしたりせずにスケジュールを明確にして貰いたい