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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元絶縁成膜積層技術が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。
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[ ビデオ ]https://t.me/RealMarjorieGreene/5395 テレグラムをダウンロードしないと見れない場合があります。 The deep state wants to control your money so they can control YOU. The government should never be able to see how Americans spend their money or have the ability to turn off their spending power when they see fit. The idea of a Central Bank Digital Currency is terrifying! That’s why I’m supporting the CBDC Anti Surveillance State Act to BAN CBDCs. ディープ・ステートはあなた方をコントロールするために、あなた方のお金をコントロールしたいのだ。 政府がアメリカ人のお金の使い方を見たり、消費者の支出を制限したりすることは決してあってはならない。 中央銀行のデジタル通貨というアイデアは恐ろしい! だからこそ私は、CBDCを禁止するCBDC反監視国家法を支持しているのです。 @RepMTG Marjorie Taylor Greene
教本ってこのことですか? 買…
2024/05/28 17:13
教本ってこのことですか? 買いポジガチホでいいかな? > 昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。 > > (1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。 > > ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。 > > そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。 > > このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。 > > > また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。 > > さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。 > > このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。 > > 今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。 > > このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。 > > マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。 > > この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。