検索結果
-
グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築プロジェクト 2024年度 WG報告資料 2024年 4月24日 IoT推進部 研究開発項目2:次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発 取組状況 •大口径化・長尺化に取組み、溶液流れや溶液温度分布等をプロセスインフォマティクス技術を適用して最適化することで、直径8インチ×厚さ8mmのSiC結晶が得られた。(株式会社オキサイド) •溶液法特有の課題であるインクルージョンについては、シミュレーションによる発生メカニズム解析を終え、AIにデータを引き継ぐことで結晶育成パラメータの最適化を行うことが可能となった。もう一つの溶液法特有の課題であるCr汚染については、実際にエピ成長させて評価した結果、濃度は測定器の検出下限以下で、かつCV特性にも影響がないことを実証。(株式会社オキサイド) •大口径ウェハ用ラインの開発に向け、8インチSiCウェハの詳細な加工工程フロー(第1次案)を作成し、加工ラインに必要な各装置の仕様を決定。選定した装置が計画通り集約。(Mipox株式会社) •デバイス(MOS-FET)評価を早期に実施するため、計画を当初から3年前倒し、2025年度中に溶液法ウェハ上にエピ膜およびMOSーFETを形成して特性評価し、昇華法と同等以上の成長膜およびデバイスが形成できることを確認するように研究実施計画を見直した。 NEDO委員からの助言 •溶液状態の制御を高度化することで8インチへと大口径化しても十分に成長技術としてポテンシャルがあることは実証できている。 •今回、最近の動向も反映され、SWOT分析、5F分析などが成され、戦略が明確になった。 •デバイスメーカーとの連携によって,先行して溶液法ウェハのクオリティの評価を始めている点はとても重要。思わぬ欠点がないのかどうか,慎重に点検をして頂きたく,面内型でよいのでトランジスタ特性までを早い段階で確認,比較を進めて頂きたい。 •溶液法の価値をより上げていくために、昇華法では達成できない品質スペックを標準化したり、環境価値などの新しい価値の軸を設定したりして、標準化に組み込むなども要検討。
-
一般のケツアナーズ向けですね。ダイバーシティインクルージョン。
それをプロセスインフォマティク…
2024/05/19 01:35
それをプロセスインフォマティクス技術を用いて、溶液法で問題となる不純物の制御に成功したという事が報告されている プロセスインフォマティクス:材料科学とインフォマティクス(情報科学)を融合させた新しい研究分野です。具体的には、計算機シミュレーションや機械学習、AIなどの手法を用いて、材料のプロセス条件と特性の関係を解明し、最適なプロセス設計を行うことを目指しています。 1. 溶液の流れや温度分布のシミュレーションを行い、結晶成長条件を最適化することで、8インチ×厚さ8mmのSiC結晶の作製に成功した。 2. インクルージョン(結晶内の不純物の混入)について、発生メカニズムのシミュレーション解析を行った。さらにそのデータをAIに引き継ぐことで、結晶成長パラメータの最適化が可能になった。 3. Cr汚染については、実際にエピタキシャル成長させて評価した結果、濃度が測定器の検出下限以下で、電気特性にも影響がないことを確認した。