エバースピン・テクノロジーズの企業情報（従業員数・代表者名など）

最終更新日：2026年2月20日

エバースピン・テクノロジーズ（Everspin Technologies Inc）は磁気抵抗メモリ（MRAM）ソリューションの開発・製造を行う会社である。 【事業内容】 MRAMソリューションは、ランダムアクセスメモリ（RAM）の速度と耐久性を備える不揮発性メモリを提供し、特に停電または故障時にミッションクリティカルなデータを保護する。MRAM技術のポートフォリオには、トグルMRAMとスピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）が含まれる。トグルMRAM製品には、パラレル、シリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）及びクワッドSPIインターフェースなどの業界標準インターフェイスが含まれる。STT-MRAMテクノロジーはダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）、NORフラッシュアプリケーションに製品を提供する。ダブルデータレート3（DDR3）及びダブルデータレート4（DDR4）派生インターフェースを搭載した製品を提供し、バッテリバックアップDRAMをSTT-MRAM置き換えることを可能にする。三次元（3D）トンネル磁気抵抗効果（TMR）センサーは、単一のコンポーネントで高い磁気感度を提供し、モノリシックソリューションで3D磁場測定を実行する。