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投稿コメント一覧 (109コメント)

  • タカトリの株価をおさえる空売り機関投資家たち
    kabu365.net   空売り残高情報
    https://kabu365.net/karauri/?code=6338

    5/31  空売割合    13.58%
    GOLDMAN SACHS INTERNATIONAL 4.7%  258,603株
    モルガン・スタンレーMUFG証券株式会社  3.67% 201,789株

    どんなに好決算を出しても株価は反応せず、空売り機関投資家にやられてしまう。困ったものだ。SiC材料切断加工装置の大口受注で株価がかけ上げ、9760円を付けた時のような再現を期待している。ウエハーを研削、ラッピング(研磨)、ポリッシング(鏡面研磨)する表面の処理するSiC半導体ウエハー加工装置まで出している。

    SiC材料切断加工装置、SiC半導体ウエハー加工装置の合わせ技で空売り機関投資家から合わせ技で一本取りたい。

    TOWA <6315>
    売上高 504億円   修正1株益 257.7円

    TOWA は空売り機関投資家にめけず、空売り機関投資家をなぎ倒し2500円台から
    14010円までつけた。タカトリは発行済株式数 549万株ほどの会社。SiC材料切断加工装置、SiC半導体ウエハー加工装置の大口受注でTOWA の再現をはたしましょう。

  • 「グリーンイノベーション基金」
    カーボンニュートラル実現に向けた国の取り組みの中で主要な役割を果たすのが、NEDOに創設された総額2兆円※(2021年3月時点)の「グリーンイノベーション基金」です。 研究開発・実証から社会実装までを見据え、官民で野心的かつ具体的な目標を共有し、企業等の取り組みに対して最長10年間の継続的な支援を行っていきます。助成金によってさまざまな研究開発が行われいる。
    https://www.nedo.go.jp/content/100942452.pdf

    次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発
    事業の目的・概要
    2030年までに、8インチ(200mm)SiCウェハにおける欠陥密度1桁以上の削減およびコスト低減。
    ① 超高品質・8インチ・低コストSiCウェハ開発
    ② 高品質8インチSiC単結晶/ウェハの製造技術開発
    ③ 次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発

    超高品質、低コストSiCウェハ開発を開発するために従来の昇華法によるSiC結晶でなく名古屋大学が開発した溶液成長法によって、高品質のSiCの結晶を作る技術が研究中。

    6521 オキサイド
    https://green-innovation.nedo.go.jp/pdf/building-next-generation-digital-infrastructure/item-002/vision-opt-oxide-002.pdf

    溶液成長法
    SiとCを溶解させて種結晶から成長させる
    熱歪みが小さいため大口径化が容易、結晶の低欠陥密度を達成などの利点がある

  • 炭化けい素(SiC)の硬さは新モース硬度で表すと13で、ダイヤモンド(新モース硬度15)、炭化ホウ素(新モース硬度14)に次いで地球上で3番目に硬い化合物。SiCの硬度はのSi(シリコン)の約4倍と硬く、インゴッドの切断、ウエハー研磨なの仕上げ加工が極めて難しい。

    研削から研磨まで1台で…SiC・GaNで使える半導体ウエハー加工装置、タカトリが開発             2023年11月29日  テクノロジー
    https://newswitch.jp/p/39456

    タカトリは半導体材料であるウエハーの研削から研磨までを行える装置「グラッピングSiC」を開発。スライス後の荒れた表面の処理として、研削、ラッピング(研磨)、ポリッシング(鏡面研磨)の3工程を1台で行える。最大8インチのウエハーの処理が可能。工程間の自動化による生産性向上につながる。欧米や中国など海外の半導体ウエハーメーカーに採用を提案する。

    パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムなどで使える。価格は約1億円を見込む。初年度30台
    2026年には年間200台の販売を目指す。

    これでSiCインゴットの精密切断(スライス)するSiC材料切断加工装置、スライスしたウエハーを研削、ラッピング(研磨)、ポリッシング(鏡面研磨)する表面の処理する高速、高精度研削できるSiC半導体ウエハー加工装置が出そろった。

    SiC材料切断加工装置だけでなくSiC半導体ウエハー加工装置の大量受注を期待したい。

  • SiCウェーハはどうやって作られる?
    https://www.youtube.com/watch?v=eDhfGVy8z1M

    CZ法
    ルツボ内で融解(1,500度)したシリコンの液面に種結晶シリコン棒をつけ、回転させながら引き上げると、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが完成します

    昇華法
    粉末状のSiCを2200度に加熱し、気化させ上部にある種結晶に付着させ結晶を作る

    SiC結晶は効率の悪い製造方法で結晶作っているので、SiCウエハーが高価(Siの4~5倍ほど)

    ウルフスピードのSiCウエハーのシェア60%(2018年)が増産計画を打ち出してから他のメーカーも増産計画を出している。数年前はわずか5%だった中国企業の生産能力世界シェアが2024年に50%に達すると台湾メディアが報道。

    遅ればせながら住友電工、昭和電工もSiCウエハー増産、ロームはパワー半導体だけでなく自前でSiCウエハーを生産予定。低欠陥で安定した品質、低価格のSiCウエハーができればSiCパワー半導体は普及する。

  • 【理論株価Web】タカトリ<6338>の理論株価と上昇余地    フィスコ
    https://finance.yahoo.co.jp/news/detail/bf6c42025fc2a745972313d4f957755969acfaf7

    〇タカトリ<6338>       5/14 21:48 配信
    理論株価:7721
    株価:4165
    上昇余地:85.3%
    株価水準:割安
    更新日:2024/05/14

    ○理論株価の詳細
    資産価値:1174
    事業価値:6547
    市場リスク:0
    理論株価 = (資産価値 + 事業価値) ― 市場リスク(%)
    市場リスク はPBR0.5倍未満を除き0%で計算

    株価が理論株価より安いことは割安の証明ですが、それだけで株価が上がるとは限りません。より重要なことは、今後の決算で理論株価が上昇するかどうかです。
    理論株価が継続して上昇していく(期待がある)と株価も連動して上がりやすくなります。

    逆に期待が先行しすぎて株価が理論株価を遙かに超えているような銘柄は、
    株価に見合った業績を決算で示さないと(期待値が縮小した場合に)
    急落するリスクをはらんでいるといえるでしょう。

  • パワー半導体勢力図激変!? 日本よ攻めろ!! SiCそしてRC-IGBT 三菱電機富士電機
    など 
    https://www.youtube.com/watch?v=B5tq7E6rDUs

    SiC結晶成長法
    原料(SiC)を高温で昇華(SiCは液体にならないで、直接気体になること)させ、種結晶上で再結晶させる

    SiC結晶は昇華したガスから種結晶上で再結晶をつくるのでSi結晶よりはるかに手間ひまがかかる。各社、技術開発しているので高品質、低価格のSiC結晶も開発されると思う。ウエハーの価格が高くてもSiCパワー半導体にはそれを上回る性能を持っている。

  • モース硬さは9.5であり、SiCの硬度はの約4倍と硬くSiCインゴットをスライスしてウエハーにするのは従来の加工機では難しいのではないか。切り出したウエハーの表面を磨き上げ、仕上げ加工が極めて難しい。

    タカトリのパワー半導体材料(SiC)の加工機、世界シェア90%超えている。今のうちに納入実績を作り、性能が評価されれば更なる注文が入ってくる。Si半導体を作るにはシリコンの純度が「99.999999999%」(イレブン・ナインという「超高純度の単結晶構造」が要求される。

    SiCは、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料。半導体を作るには超高純度の化合物半導体材料が要求され、化合物で高純度のSiCインゴットを作るのは難度が高い。それをスライスする加工機はできている。後は効率よく安くSiCインゴットを作るかが問題。

    SiCパワー半導体の潜在能力は誰しも知っている。各メーカーがSiCパワー半導体の研究開発にしのぎを削り、そこに大きな投資をしている。効率よく安くSiCインゴットを作れば、SiCパワー半導体は普及する。

  • SiCは、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。 シリコンに比べ、更に結合力が強く、熱的、化学的、機械的に安定している物質です。

    モース硬さは9.5であり、ダイヤモンドや炭化ホウ素に次いで硬いでSiCの硬度はSiの約4倍と硬くまたこれらの材料は化学的・熱的に安定であるため、基板として利用する際の仕上げ加工が極めて難しく(難加工性半導体材料)、加工プロセスの高速化、低コスト化が課題となっています。

    タカトリのパワー半導体材料(SiC)の加工機、世界シェア90%超え。今のうちに他の業者が参入しないうちに実績を作りタカトリの名声を確立すること。SiとSiCでは結晶の作り方が異なるためSiに比べてウエハーの価格が高い、結晶欠陥が発生しやすいなど課題があるが、SiCの特性を引き出すためSiCウエハーの品質を高める努力がなされている。世界中の企業がSiCパワー半導体の開発、投資に動き出している。

    タカトリのパワー半導体材料(SiC)の加工機の注文もSiCウエハーの品質向上、低価格進めば入ってくる。デンソーは、2030年までに半導体分野へ約5000億円を投じ、関連事業の売上高を35年に現状比3倍に拡大する。炭化ケイ素(SiC)パワー半導体などの生産を拡大し、コスト競争力を強化する。

    ロームのSiCパワー半導体にかける気力がますます充実し始めた。28年3月期までに何と5100億円を投資し、SiCパワー半導体の世界シェアを30~50%獲得狙う。SiC基盤の製造も予定している。

  • SiCで必ず勝ちます- ロームの半導体ってぶっちゃけどうなの?
    https://www.youtube.com/watch?v=3cLxFSZTsn0

    SiCパワー半導体の価格が高い原因として、半導体素子を作るための基となるウェハ材料が高価であることと(Siの4~5倍ほど)SiCパワー半導体の長期信頼性を確保することが困難など課題はあるが、パワー半導体の次世代候補としてSiCパワー半導体が期待されている。

    パワー半導体とは?世界シェアと日本メーカーの強み・仕組みと用途・将来性を考察
    https://www.nikken-totalsourcing.jp/business/tsunagu/column/1697/

    2035年にパワー半導体市場は7兆7757億円(2023年比2.4倍)と予測されるが、次世代の構成比が45%まで高まると試算している。

    SiCパワー半導体は同8.1倍の3兆1510億円と急増が見込まれる。富士経済では「電動車の増加に伴い採用が増加。将来的には価格の下落で自動車用以外の採用も広がる」としている

  • SiCで必ず勝ちます- ロームの半導体ってぶっちゃけどうなの?
    https://www.youtube.com/watch?v=3cLxFSZTsn0

    半導体素子を作るための基となるウェハ材料が高価であることと(Siの4~5倍ほど)SiCパワー半導体の長期信頼性を確保することが困難であるという課題はあるが技術革新によって乗り越えることができる。SiCパワー半導体にはそれだけの潜在能力がある。

    パワー半導体とは?世界シェアと日本メーカーの強み・仕組みと用途・将来性を考察
    https://www.nikken-totalsourcing.jp/business/tsunagu/column/1697/

    パワー半導体は「パワーデバイス」とも呼ばれ、スマートフォンやパソコンのみならず、エアコンや自動車、産業機器など幅広い用途にて活用されており、今後さらなる市場規模の拡大が見込まれ、パワー半導体として次世代のSiCパワー半導体が注目され世界中で開発競争が繰り広げられている。日本政府は日本の半導体復活のため様々な振興政策をしている。

  • 資本業務提携、第三者割当による新株式の発行並びに主要株主である筆頭株主
            及びその他の関係会社の異動に関するお知らせ

    第三者割当による新株式の発行並びに主要株主とIRに「第三者割当による」と書いてある。BPSに比べ割当価格が4,938円の値段が安いと言っている。価格設定の根拠は何ですか。

    いくら良い製品を作っても販売能力がなければ意味がない。三井物産との資本業務提携、株主にとってグッドニュース、「平面研削盤・半導体ウェハ研磨装置でグローバルNo.1を目指す」これが現実になる。三井物産の経営資源を活用すれば群馬の一企業が世界に羽ばたけるチャンスが来ると思う。それを株価が反映する時が必ず来る。

  • 利益剰余金が186億円もあれがた技術開発棟の新設、自動倉庫棟の建設資金、研究開発投資など自己資本で十分まかなえる。EPS6,382円あるのに何で安い4,938円の値段で第三者割当増資しなければならないのですか。既存株主に損害を与える背任行為だと思います。

    現経営者より敵対的TOBにより企業価値を高めてくれるなら株主にとってそのほうが良い。ぬるま湯に使って経営をしていては伸びる企業も腐ってしまう。

    特に御社は中国に深入りしているのでチャイナリスクは大丈夫なのかと言いたい。
    群馬出身の福田康夫氏は大の中国びいき、中国は共産党の意向で手のひらをすぐ返す。企業の知的財産、中国に出向している社員、スパイ容疑で逮捕されることはないですか。

  • 幹事証券は大和と野村、これは野村の画策か?
    EPS6,382円ある会社が第三者割当の増資の価格が4,938円 これでは株主は納得がいかない。株主を軽視しているのではないか。普通、株主が納得するためにプレミアムを付けて第三者割当の増資する。野村は株価をおさえるために4/15,17,23,5/7とカラ売りを入れている。

    (株)岡本工作機械製作所  機関の空売り残高情報
    https://karauri.net/6125/

    悪質なのは来期の決算を低めに抑えストップ安にして第三者割当の増資の価格を安くおさえ既存の株主に損害をあたえ三井物産に恩恵を与える。何もこんな時期に公募増資を行う必要はない。いったい経営者何を考えているのか。払い込み時期6/7過ぎたら野村は罪滅ぼしに株価をEPS6,382円の水準まで上げるのに期待。今回の経営判断はひどい判断であった。

  • 【基礎講座】Siに換わる注目素材|SiC・GaN半導体をわかりやすく解説!!【サンケン電気
    https://www.youtube.com/watch?v=CWjNmNCadl0

    このうち電力の変換や制御などを行う「パワー半導体」は、自動車や鉄道、それに家電などに幅広く使われ、性能を向上させることで消費電力の削減にもつながることから、クルマの電動化や産業機器のデジタル化の進展で需要が拡大しています。

    特に、従来のシリコンより省エネ性能が高い「SiC=炭化ケイ素」を素材として使った製品は、次世代のパワー半導体の一つとして注目されています。

    従来のパワー半導体よりもコストは高いとされるものの、電気自動車に使うと消費電力を抑えながら航続距離が伸びることなどから、多くの自動車メーカーで導入が見込まれ、2035年のSiCパワー半導体の市場規模は、2022年の31倍にあたる5兆3300億円に増えると推計されています。

  • 【基礎講座】パワー半導体とは?概要をわかりやすく解説!!【サンケン電気
    https://www.youtube.com/watch?v=1Ay4US8maK4

    パワー半導体は日本が世界で戦える半導体
    イギリスの調査会社のオムディアによりますと、パワー半導体の2022年の世界シェアで、10位以内に日本メーカーは4社入っていて、三菱電機の4位を筆頭に富士電機が5位、東芝が7位、ロームが9位と一定の競争力を持っています。

    従来のシリコンより省エネ性能が高い「SiC=炭化ケイ素」を素材として使った製品は、次世代のパワー半導体の一つとして注目されています。SiC(シリコンカーバイド)の値段が下がり、安定供給されればSi半導体からSiC半導体に代わっていく。

  • SiCパワー半導体の実用化には課題
    製造コストを下げるために品質を保ったまま「ウエハの大口径化」技術の確立が必要
    ウエハ自体の価格もSiに比べて高額
    SiC結晶は、結晶欠陥が生じやすい

    SiC半導体は価格が高いため民生機器としての用途は少なく、自動車や鉄道、エネルギー、データセンターなどの産業用途などがメイン。電気自動車では現在は、価格の面からSiデバイスが主に使われていますが、SiCデバイスを採用することで高効率・小型化が実現でき、航続距離を伸ばすことにつながります。

    ローム
    2022年売上高では国内4位、SiCパワー半導体では世界シェア1~2割を占め国内トップです。直近では、SiC事業への投資が加速しており、2027年に5100億円を投資して世界シェア1位を目指すと発表しています。2030年までにSiCの生産能力を35倍に拡大することを目指しています。

    デンソー
    2030年までに半導体分野へ5000億円を投資すると発表しており、とくにSiCパワー半導体の生産を拡大。2023年に発表したSiC半導体を用いたインバーターは、レクサスの電気自動車専用モデル「新型RZ」に搭載

    SiCなど次世代品の比率が45%に
    パワー半導体市場、2035年に7兆7757億円規模へ
            2024年02月28日 10時30分 公開[馬本隆綱,EE Times Japan]
    富士経済は、パワー半導体とその構成部材、製造装置の世界市場を調査し、2035年までの市場予測を発表した。パワー半導体の市場規模は2023年の3兆1739億円に対し、2035年は7兆7757億円規模になると予測した。

  • 【特集】半導体で世界を席巻!?老舗メーカー「タカトリ」の秘密
    https://www.youtube.com/watch?v=l51JuWaxDFI

    SiCの切断機で世界で100%近い、圧倒的シェアをもっている。

    SiC半導体  SiC材料の物性と特徴
    SiC(シリコンカーバイド)はシリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料です。絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍と優れているだけでなくデバイス作製に必要なp型、n型の制御が広い範囲で可能であることなどから、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されています。

    パワー半導体とは
    材料に半導体を用いたデバイスの中で、大きな電流や電力を扱うことを目的に作られたものをパワー半導体といいます

    電気的特性がSi半導体よりSiC半導体のほうが優れているいるのでパワー半導体で
    Si半導体からSiC半導体にとって代わると期待されてる。

  • これが鬼に金棒か 日米の巨匠がお出まし

    4/22  芝浦について、米ゴールドマン・サックスは保有割合が5%を超えたと報告
    5/09  芝浦について、野村証は保有割合が5%を超えたと報告

  • 為替が円安になっているのでもっと良い決算を期待していた。株価はPER、PBRともに高い水準まで買われているわけではないので株価にとって中立の決算になったと思う。配当金を上げたのはよかった。

    為替レートが155円台で推移しているがいつまでも円安が続くわけではない。バイデン大統領は円安を容認しているが、トランプ氏は円安は米国の利益にならないと言っている。もしトランプ氏が大統領になれば一気に円高に為替が動く。そのためにも為替予約を使って今のうちに為替利益を確保してください。為替によらなくても利益がだせる経営体質になってもらいたい。

  • 大真空
    24年3月期の連結経常利益を従来予想の17億円→31億円に82.4%上方修正、為替レートが想定より円安で推移し、為替差益12.9億円を計上したことなどが上振れの要因となった。

    3Qの一株益85円 対通期進捗率96.7%
    大真空が従来予想を上方修正したのならここも期待できる。ここが得意とする車載向けの水晶デバイス22年3Q204億円⇒23年3Q211億円+7億円
    増減要因は対前年比数量減、取引条件改善/円安効果で金額は増加。

    海外売上が約8割を占めて円安で儲けなければ、いつ儲けるのか。

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