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「生成AI向け需要が拡大している」。サムスンが同日発表した2024年1〜3月期の事業別業績で、半導体部門の営業損益は1兆9100億ウォン（約2100億円）の黒字（前年同期は4兆5800億ウォンの赤字）だった。5四半期ぶりに黒字に転換した。

決算説明会では業績そのものでなく「広帯域メモリー（HBM）」と呼ばれる次世代メモリーの投資戦略に質問が集中した。

金在駿（キム・ジェジュン）副社長はHBMの供給能力を24年は前年比3倍以上、さらに25年は24年比2倍以上に増やす計画を明かし、「市場でのリーダーシップを高める」と強調した。現在主流のHBMよりも先の世代の製品を、他社より早く24年4〜6月期から量産する準備ができたと説明した。

3月にはHBMを中心とする半導体の研究開発拠点の整備に20兆ウォンを投じ、2〜3年以内に業界首位になる目標も掲げていた。

生成AIには、複雑なデータ処理を担う画像処理半導体（GPU）だけでなく、膨大な演算結果を一時的に保存するDRAMが必要だ。AIメモリーのHBMはDRAMのチップを積み上げることで性能を高めた半導体で、大量のデータを高速で保存したり転送したりできる。

HBMはSKが13年に初めて開発し、市場開拓で先行した。台湾の調査会社、トレンドフォースによると、SKがシェア5割を握り、4割のサムスン電子、1割の米マイクロンが続く。