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エアウォーター-3日ぶり反発 新たなGaN積層構造を開発 5G普及に貢献

11/27 12:53 配信

トレーダーズ・ウェブ

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エアW1,782-27

 エア・ウォーター<4088>が3日ぶり反発。同社は26日、低コストかつ高性能な高周波トランジスタを製造できる新しいGaN(窒化ガリウム)積層構造を開発したと発表した。

 GaNは、従来の基板材料であるSi(シリコン)やGaAs(ヒ化ガリウム)に比べ、電子走行速度が2.1~2.7倍、電波信号の増幅にかかる絶縁耐電界強度が7.5~10倍になるという。5G普及に伴う関連サービスにおいて、コストパフォーマンスの改善に大きく貢献できるとした。

 今後は、この積層構造を成長させるうえでの下地基板となる「高周波用途向けSiC on Si 下地基板」、ならびにこの構造の成長まで同社で行う「高周波用途向けGaN on SiC on Si 基板」のパイロット生産を2020年度中に開始するとしている。

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最終更新:11/27(金) 12:53

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