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エバースピン・テクノロジーズ【MRAM】の掲示板

計算パフォーマンスとデータ・アクセス・パフォーマンスの間の発達するアンバランスは、いくつかの新しいランダム・アクセス・メモリ(RAM)技術の開発を刺激しました。これらの間に、抗磁RAM(MRAM)、抵抗RAM(ReRAM)と段階-変化RAM(PCRAM)はあります。しかし最近まで、これらの装置のほとんど商業配備が、ありませんでした。しかし、より先進の製造システムの開発のおかげで、それはすぐに変わるかもしれません。

それがNANDフラッシュ(この種のハードウェアの上で選り抜きの現在の記憶メモリ)より非常に低い電力消費を約束する時から、MRAMはIoTと端コンピューターのための特に魅力的なテクノロジーです。MRAMもかなり速いです。そして、それが追加費用を節約してフラッシュをこれらの装置(SRAMの多く以外のも)に戻すことができるだけでないことを、それは意味します。

サムスンは3月に最初の組込形MRAM製品を出荷し始めました、そして、TSMCはテクノロジーのそのバージョンも提供しています。そして、それをGyrfalcon TechnologyはそのAIアクセラレータで使っています。Everspinはもう一人のMRAMプロバイダーです、そして、その製品はIBMによって高い能力(19TB)SSDのためのキャッシュとして用いられるのに用いられています。そして、ちょうど今週、そのMRAMが企業SSDsのためにSage Microelectronicのフラッシュ・メモリコントローラで支えられると、Everspinは発表しました。