(株)ＳＵＭＣＯ【3436】の掲示板 2019/03/29〜2019/04/04

EUVの光源プラズマのSn+7イオンからの発光のλ=13.5nm光源で6枚非球面収束反射鏡構成ではこれ以上開口数NAを大きくできず、解像力=kλ/NAにより、3nmで限界。
これ以上微細化するには、非球面収束反射鏡我慢8枚構成にする必要がある我慢、これではEUV λ=13.5での反射率が更に低くなり、ウエハー面での光強度が足りなくなり、スループット、生産性が悪くなりすぎて、量産性が無い。
3nmで微細化が終われば、もうウエハー一枚あたりのトランジスタ数は増えず、回路の複雑化、LSIのチップ増加に対応するには、半導体FABの増設およびシリコンウエハーの増産で対応するしかなくなる。
トランジスタ数の需要は指数関数的に増えるが、半導体FABおよびウエハーの増産は線形にしか出来ない。
これまでは、半導体の微細化により、トランジスタが指数関数的て増えて、需要に応じたため、供給過剰によるシリコンサイクルが起こった。
今後はムーア死して、売り手市場が残る。